长江存储科技有限责任公司王均保获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利非易失性存储器、存储器系统以及存储器的数据擦除方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114613415B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210201088.8，技术领域涉及：G11C16/34；该发明授权非易失性存储器、存储器系统以及存储器的数据擦除方法是由王均保;游开开;李楷威;贾建权;张安设计研发完成，并于2022-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本非易失性存储器、存储器系统以及存储器的数据擦除方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种非易失性存储器、存储器系统以及存储器的数据擦除方法，该方法包括：在待擦除的多个堆叠体中的第一堆叠体包括的存储单元施加第一导通电压；在施加所述第一导通电压之后，在共源极和漏极分别施加源极擦除电压和漏极擦除电压；以及在源极擦除电压和漏极擦除电压的电平爬升至其峰值电平期间，在待擦除的多个堆叠体中的第二堆叠体包括的虚设存储单元上施加第一电压。
本发明授权非易失性存储器、存储器系统以及存储器的数据擦除方法在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储器的数据擦除方法，其中，所述非易失性存储器包括：多个存储块，每个所述存储块包括多个彼此电连接的堆叠体，每个所述堆叠体包括多个存储单元和邻近所述堆叠体的端部的至少一个虚设存储单元，至少一个堆叠体的一端具有多个漏极，至少另一个堆叠体的一端具有共源极，其特征在于，所述方法包括： 在待擦除的所述多个堆叠体中的第一堆叠体包括的存储单元施加第一导通电压； 在施加所述第一导通电压之后，在所述共源极和所述漏极分别施加源极擦除电压和漏极擦除电压；以及 在所述源极擦除电压和所述漏极擦除电压的电平爬升至其峰值电平期间，在所述待擦除的所述多个堆叠体中的第二堆叠体包括的虚设存储单元上施加用于诱导栅极感应漏极泄漏电流的第一电压。
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