中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司王楠获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114512479B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011278811.X，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体结构及其形成方法是由王楠设计研发完成，并于2020-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底；栅极结构，位于基底上，平行于基底表面，栅极结构的延伸方向为横向，垂直于栅极结构延伸方向为纵向；源漏掺杂层，位于栅极结构两侧的基底内；源漏叠层，位于多个源漏掺杂层上，源漏叠层包括源漏插塞和立于源漏插塞上的源漏互连结构。本发明实施例中，源漏叠层包括源漏插塞和立于源漏插塞上的源漏互连结构，也就是说源漏插塞和源漏互连结构为一体结构，源漏互连结构和源漏插塞之间的粘附性较强，相应的强度较高，且因为源漏互连结构和源漏插塞为一体结构，从而源漏互连结构和源漏插塞之间的导通电阻较小，有利于降低半导体结构的功耗，提高电流特性，优化半导体结构的电学性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底； 栅极结构，位于所述基底上，平行于所述基底表面，所述栅极结构的延伸方向为横向，垂直于所述栅极结构延伸方向为纵向； 源漏掺杂层，位于所述栅极结构两侧的所述基底内； 源漏叠层，位于多个所述源漏掺杂层上，所述源漏叠层包括源漏插塞和立于所述源漏插塞上的源漏互连结构； 所述半导体结构包括：栅极插塞，立于所述栅极结构上； 保护层，位于所述源漏互连结构横向的侧壁上以及栅极插塞纵向的侧壁上。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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