天津威盛电子有限公司张硕焕获国家专利权
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龙图腾网获悉天津威盛电子有限公司申请的专利声表面波晶片级封装及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113904649B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110756802.5，技术领域涉及：H03H9/02；该发明授权声表面波晶片级封装及其制造方法是由张硕焕;金炳学;李昶烨设计研发完成，并于2021-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本声表面波晶片级封装及其制造方法在说明书摘要公布了：公开了一种声表面波SAW晶片级封装，包括：基板；形成在基板上的叉指式换能器IDT；沿IDT外围形成在基板上的侧壁；形成在侧壁和IDT上方以与侧壁在IDT上方形成中空部的盖；连接电极，其形成在基板上，与IDT电连接并从侧壁的外围向外延伸；连接端子，其电连接到连接电极的从侧壁的外围向外延伸的部分，形成为遍及侧壁的一个外表面以及盖的一个表面和顶表面的一部分，并且具有形成为高于盖的顶表面的顶表面；以及有机可焊性防腐OSP涂层，其至少形成在连接端子的顶表面上。
本发明授权声表面波晶片级封装及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种声表面波SAW晶片级封装，包括： 基板； 叉指式换能器IDT，其形成在所述基板上； 侧壁，其沿所述IDT的外围形成在所述基板上； 盖，其形成在所述侧壁和所述IDT上方，以与所述侧壁在所述IDT上方形成中空部； 连接电极，其形成在所述基板上，与所述IDT电连接，并从所述侧壁的外围向外延伸； 连接端子，其电连接到所述连接电极的从所述侧壁的外围向外延伸的部分，形成为遍及所述侧壁的一个外侧表面以及所述盖的一个外侧表面和所述盖的顶表面的一部分，并且具有形成为高于所述盖的顶表面的顶表面；以及 有机可焊性防腐OSP涂层，其形成在所述连接端子的顶表面和侧表面上， 其中所述OSP涂层沿着所述连接端子的侧表面形成，并且所述OSP涂层直接接触所述连接电极的从所述侧壁的外围向外延伸的部分。
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