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龙图腾网获悉波音公司申请的专利在载体衬底上制备碳化硅和氮化物结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113671771B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110515126.2，技术领域涉及：G02F1/355；该发明授权在载体衬底上制备碳化硅和氮化物结构是由S·J·怀特利;D·亚普;E·H·陈;D·M·金;T·D·拉德设计研发完成，并于2021-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本在载体衬底上制备碳化硅和氮化物结构在说明书摘要公布了：用于形成半导体结构的方法、装置和系统。将位于在碳化硅衬底上形成的一组第III族氮化物层上的第一氧化物层与位于载体衬底上的第一氧化物层结合以形成位于载体衬底和所述组第III族氮化物层之间的氧化物层。碳化硅衬底具有掺杂层。使用光电化学蚀刻工艺蚀刻具有掺杂层的碳化硅衬底，其中掺杂层的掺杂水平使得掺杂层被除去并且碳化硅衬底中的碳化硅层保持未被蚀刻。使用碳化硅层和所述组第III族氮化物层形成半导体结构。

本发明授权在载体衬底上制备碳化硅和氮化物结构在权利要求书中公布了：1.一种用于形成半导体结构的方法，所述方法包括： 步骤2600在碳化硅衬底100、1003上形成一组第III族氮化物层200、908、910、1308、1310、1606、1806、2006、2106、2210、2212、2310、2312，其中所述碳化硅衬底100、1003包括掺杂层106、904、1302，并且其中所述掺杂层106、904、1302具有的掺杂水平使得所述掺杂层106、904、1302使用光电化学蚀刻工艺被蚀刻而所述碳化硅衬底100、1003的其他部分保持未被蚀刻； 步骤2602在所述组第III族氮化物层200、908、910、1308、1310、1606、1806、2006、2106、2210、2212、2310、2312上形成第一氧化物层，其中所述组第III族氮化物层200、908、910、1308、1310、1606、1806、2006、2106、2210、2212、2310、2312位于所述第一氧化物层和所述碳化硅衬底100、1003之间； 步骤2604将所述第一氧化物层与载体衬底500、1000、1314、1602、1802、2002、2102、2202、2302、2402上的第一氧化物层结合以形成位于所述载体衬底500、1000、1314、1602、1802、2002、2102、2202、2302、2402和所述组第III族氮化物层200、908、910、1308、1310、1606、1806、2006、2106、2210、2212、2310、2312之间的氧化物层600、1100、1312、1604、1804、2004、2104、2204、2304； 步骤2606研磨所述碳化硅衬底100、1003； 步骤2608当到达所述碳化硅衬底100、1003中的一部分掺杂层106、904、1302时停止研磨； 步骤2610使用所述光电化学蚀刻工艺蚀刻所述碳化硅衬底100、1003，使得当所述碳化硅衬底100、1003中的所述部分掺杂层106、904、1302暴露时除去所述掺杂层106、904、1302并使所述碳化硅衬底100、1003中的碳化硅器件层保留；和 步骤2612使用所述碳化硅器件层和所述组第III族氮化物层200、908、910、1308、1310、1606、1806、2006、2106、2210、2212、2310、2312形成所述半导体结构。

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