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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方显示技术有限公司申请的专利一种触控面板、其制作方法及显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111258453B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010042460.6，技术领域涉及：G06F3/041；该发明授权一种触控面板、其制作方法及显示装置是由王凌飞;赵天龙;史大为设计研发完成，并于2020-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种触控面板、其制作方法及显示装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种触控面板、其制作方法及显示装置，通过将位于基板和偏光片之间的绝缘层设置成包括氮化硅层以及位于氮化硅层远离基板一侧的阻隔层，一方面，阻隔层可以作为掩盖层阻挡氮化硅层中逸出的氨气飘向偏光片，从而避免偏光片发生褪色现象；另一方面，绝缘层采用氮化硅层和阻隔层的双层薄膜形式，在现有绝缘层内形成阻隔层以减少氨气逸出量的基础上，保留足够厚度的氮化硅层，不至于完全失去绝缘层在触控面板各膜层中的介电性能、光学性能、绝缘性能等；并且，绝缘层采用氮化硅层和阻隔层组成复合绝缘层，可以很大程度提高电路的击穿电压。

本发明授权一种触控面板、其制作方法及显示装置在权利要求书中公布了：1.一种触控面板，其特征在于，包括：基板，依次设置于所述基板上的触控结构和偏光片； 所述触控结构包括层叠设置的桥接层和电极层以及位于所述桥接层和所述电极层之间的第一绝缘层；所述第一绝缘层包括第一氮化硅层以及位于所述第一氮化硅层远离所述基板一侧的第一阻隔层； 所述第一阻隔层用于阻挡所述第一氮化硅层中逸出的氨气飘向所述偏光片； 所述第一阻隔层为第一氧化硅层或第一致密氮化硅层； 其中，形成所述第一绝缘层，具体包括： 在形成所述桥接层之后、形成所述电极层之前，在所述桥接层上沉积一层氮化硅层，采用氧气等离子体对所述氮化硅层的表面进行氧化处理，在所述氮化硅层的表面形成第一氧化硅层，剩余的所述氮化硅层作为第一氮化硅层，所述第一氮化硅层和所述第一氧化硅层构成所述第一绝缘层； 在形成所述第一氮化硅层和所述第一氧化硅层之后，还包括： 对所述第一氮化硅层和所述第一氧化硅层进行图形化处理，形成用于搭接所述桥接层和所述电极层的过孔； 或者，形成所述第一绝缘层，具体包括： 在形成所述桥接层之后、形成所述电极层之前，在所述桥接层上沉积一层氮化硅层，采用氢气等离子体对所述氮化硅层进行退火钝化处理，在所述氮化硅层的表面形成第一致密氮化硅层，剩余的所述氮化硅层作为第一氮化硅层，所述第一氮化硅层和所述第一致密氮化硅层构成所述第一绝缘层； 在形成所述第一氮化硅层和所述第一致密氮化硅层之后，还包括： 对所述第一氮化硅层和所述第一致密氮化硅层进行图形化处理，形成用于搭接所述桥接层和所述电极层的过孔。

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