英特尔公司W·戈梅斯获国家专利权
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龙图腾网获悉英特尔公司申请的专利用于提供电感器结构的器件、系统和方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111095551B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201780094444.8,技术领域涉及:H10D80/00;该发明授权用于提供电感器结构的器件、系统和方法是由W·戈梅斯;M·博尔;D·因格利;R·库马尔;H·克里希纳穆尔蒂;N·V·德塞设计研发完成,并于2017-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于提供电感器结构的器件、系统和方法在说明书摘要公布了:用于提供具有集成电路IC管芯的电感器的技术和机制。在实施例中,IC管芯包括集成电路和一个或多个第一金属化层。该IC管芯被配置为耦合到包括一个或多个第二金属化层的电路器件,其中,这样的耦合导致形成耦合到该集成电路的电感器。该电感器的一个或多个线圈结构均跨越一个或多个第一金属化层的一些或全部和一个或多个第二金属化层的一些或全部两者。在另一个实施例中,该IC管芯或电路器件包括铁磁材料以聚集用电感器提供的磁通。
本发明授权用于提供电感器结构的器件、系统和方法在权利要求书中公布了:1.一种系统,包括: 第一集成电路IC管芯,包括: 半导体衬底; 在所述半导体衬底上的第一集成电路,其中,所述第一集成电路包括电桥电路、稳压器、或功率传输电路中的任一种;以及 一个或多个第一金属化层,其耦合在所述第一集成电路和硬件接口之间; 第二电路器件,其耦合到所述第一IC管芯,所述第二电路器件包括经由所述硬件接口耦合到所述一个或多个第一金属化层的一个或多个第二金属化层;以及 第三器件,所述第一集成电路经由所述第二电路器件和一个或多个焊料凸块耦合到所述第三器件, 其中,所述第一IC管芯包括在所述第一IC管芯与所述第二电路器件的堆叠方向上的第一侧和与第一侧相对的第二侧, 其中,所述第二电路器件包括在所述堆叠方向上的第一侧和与第一侧相对的第二侧; 其中,所述系统包括耦合到所述第一集成电路的电感器,其中,所述电感器的一个或多个线圈结构均包括: 所述一个或多个第一金属化层的相应的第一导体部分,所述第一导体部分包括在所述堆叠方向上从所述第一IC管芯的第一侧朝向所述第一IC管芯的第二侧延伸的导电线圈部分;以及 所述第二电路器件的所述一个或多个第二金属化层的相应的第二导体部分,所述第二导体部分包括在所述堆叠方向上从所述第二电路器件的第一侧朝向所述第二电路器件的第二侧延伸的导电线圈部分,并且所述相应的第二导体部分通过微凸块耦合到所述第一导体部分,并且 其中,所述第一集成电路和所述第三器件之间的通信包括电压或信号的通信,所述电压或信号基于向所述电感器提供的信号。
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