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英特尔公司C.苏布拉马尼获国家专利权

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龙图腾网获悉英特尔公司申请的专利用于超高密度第一级互连的双焊接方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN109935567B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201811366321.8,技术领域涉及:H10W70/62;该发明授权用于超高密度第一级互连的双焊接方法是由C.苏布拉马尼设计研发完成,并于2018-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。

用于超高密度第一级互连的双焊接方法在说明书摘要公布了:一种装置,包括具有至少一个焊料接合焊盘的集成电路IC封装;具有至少一个焊料接合焊盘的管芯,其中该管芯通过管芯的至少一个焊料接合焊盘与IC封装的至少一个焊料接合焊盘之间的至少一个焊点接合到IC封装;以及IC封装与管芯之间的底部填充剂材料,其中该至少一个焊点嵌入在底部填充剂材料中,并且其中该至少一个焊点包括第一冶金和第二冶金。

本发明授权用于超高密度第一级互连的双焊接方法在权利要求书中公布了:1.一种集成电路IC封装基板,其包括: 至少一个第一接合焊盘; 包括至少一个第二接合焊盘的管芯,其中所述管芯通过所述第一接合焊盘和第二接合焊盘之间的至少一个焊点接合到所述IC封装基板;以及 在所述IC封装基板与所述管芯之间的底部填充剂材料, 其中所述焊点嵌入在所述底部填充剂材料中,并且其中所述焊点包括跨所述焊点的厚度的第一成分梯度和第二成分梯度,所述第一成分梯度包括邻近所述第一接合焊盘的较高的锡的浓度以及邻近所述第二接合焊盘的降到较低的锡的浓度,并且所述第二成分梯度包括邻近所述第二接合焊盘的较高的金或锌之一的浓度以及邻近所述第一接合焊盘的降到较低的金或锌之一的浓度,以及 在所述第一接合焊盘与所述焊点之间的界面处形成的金属间化合物IMC,其中所述金属间化合物IMC具有超过500℃的熔化温度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人英特尔公司,其通讯地址为:美国加利福尼亚州;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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