上海晶盟硅材料有限公司彭哲获国家专利权
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龙图腾网获悉上海晶盟硅材料有限公司申请的专利一种改善Wafer边缘平坦度的新型外延基座获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224139444U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520588899.7，技术领域涉及：H10P72/76；该实用新型一种改善Wafer边缘平坦度的新型外延基座是由彭哲;曹建平;王俊杰;高璇;陆军;罗简设计研发完成，并于2025-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种改善Wafer边缘平坦度的新型外延基座在说明书摘要公布了：本实用新型属于晶圆外延基座技术领域，具体的说是一种改善Wafer边缘平坦度的新型外延基座，包括外延基座，所述外延基座顶部设置有多个均匀分布的出气孔，所述外延基座顶部开设有开槽，所述开槽内部一侧延伸至外延基座外部，所述开槽设置成环形状，所述开槽内部设置有台阶，所述台阶设置成环形状，所述外延基座外表面设置有调节组件，所述调节组件与台阶固定安装；本实用新型通过降低外延基座边缘台阶高度来使得使得外延时流经Wafer边缘的气流量增大，且提高Wafer边缘的厚度，从而改善Wafer因边缘厚度塌陷导致的Flatness恶化问题，进而使得该外延基座能改善外延后Wafer的Flatness水平，从而到达CIS和BCD用外延片的要求，且使得该外延基座使用效果较好。
本实用新型一种改善Wafer边缘平坦度的新型外延基座在权利要求书中公布了：1.一种改善Wafer边缘平坦度的新型外延基座，包括外延基座1，所述外延基座1顶部设置有多个均匀分布的出气孔； 其特征在于：所述外延基座1顶部开设有开槽4，所述开槽4内部一侧延伸至外延基座1外部，所述开槽4设置成环形状，所述开槽4内部设置有台阶2，所述台阶2设置成环形状，所述外延基座1外表面设置有调节组件，所述调节组件与台阶2固定安装。
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