意法半导体股份有限公司F·尤克拉诺获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利增强模式高电子迁移率晶体管器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224124491U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-14发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202320087745.0，技术领域涉及：H10D30/47；该实用新型增强模式高电子迁移率晶体管器件是由F·尤克拉诺;F·加纳佐;G·格雷克;F·罗卡福尔特设计研发完成，并于2023-01-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本增强模式高电子迁移率晶体管器件在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及增强模式高电子迁移率晶体管器件。一种增强模式高电子迁移率晶体管器件包括半导体本体，该半导体本体具有顶表面并且包括被配置为生成二维电子气的异质结构。高电子迁移率晶体管器件包括在半导体本体的顶表面上延伸的栅极结构，可偏置以电控制二维电子气，并且包括彼此直接物理和电接触的功能层和栅极触点。栅极触点由导电材料层制成，功能层由二维半导体材料层制成，并包括具有P型导电性的第一掺杂部分，该第一掺杂部分在半导体本体的顶表面上延伸，并沿第一轴线插置半导体本体和栅极触点之间。本公开的实施例保证了晶体管在使用中的低功耗，并简化了其在设计步骤中到电子电路中的集成。
本实用新型增强模式高电子迁移率晶体管器件在权利要求书中公布了：1.一种增强模式高电子迁移率晶体管器件，其特征在于，包括： 半导体本体，具有顶表面并且包括被配置为生成二维电子气的异质结构；以及 栅极结构，位于所述半导体本体的顶表面上，并且包括功能层和与所述功能层直接物理接触和电接触的栅极触点，其中所述栅极结构能够被偏置以电控制所述二维电子气，其中所述栅极触点由导电材料层制成，并且所述功能层由二维半导体材料层制成，并且所述功能层包括在所述半导体本体的顶表面上的具有P型导电性的第一掺杂部分，并且所述功能层沿第一轴线插置在所述半导体本体和所述栅极触点之间。
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